特點
國際標準封裝
低RDS(ON)HDMOSTM過程
多晶硅柵細胞結(jié)構(gòu)堅固
非鉗位感應(yīng)開關(guān)(UIS)的
額定
低電感封裝
- 易于驅(qū)動器和保護
快速內(nèi)在整流器
應(yīng)用
的DC - DC轉(zhuǎn)換器
電池充電器
開關(guān)模式和諧振模式
電源供應(yīng)器
?直流斬波器
?交流電機控制
溫度和照明控制
優(yōu)勢
加247TM包片段或彈簧
安裝
節(jié)省空間
高功率密度
Parameter | IXFX62N25 |
VDSS, max, (V) | 250 |
ID(cont), TC=25°C, (A) | 62 |
RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) | 0.35 |
Ciss, typ, (pF) | 6600 |
Qg, typ, (nC) | 240 |
trr, typ, (ns) | |
trr, max, (ns) | 250 |
PD, (W) | 417 |
RthJC, max, (°C/W) | 0.3 |