供應(yīng)IXFJ40N30全新現(xiàn)貨IXYS代理IXFJ40N30功率MOSFET

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IXFJ40N30全新現(xiàn)貨IXYS代理IXFJ40N30功率MOSFET 最新批號(hào)

IXFJ40N30全新現(xiàn)貨IXYS代理IXFJ40N30功率MOSFET 全線代理

IXFJ40N30全新現(xiàn)貨IXYS代理IXFJ40N30功率MOSFET 封裝TO - 268

部分編號(hào)：IXFJ40N30
描述：高電壓的Q -級(jí)HiPerFETs（高達(dá)1200V）
配置：?jiǎn)?
包裝樣式號(hào)：TO - 268（Ⅰ3 - 巴基斯坦）

特點(diǎn)
?超薄，高功率封裝
?長(zhǎng)期蠕變和罷工的距離
?易于注冊(cè)級(jí)路徑的TO - 220
設(shè)計(jì)
?低RDS（ON）HDMOSTM過程
?堅(jiān)固的多晶硅柵單元結(jié)構(gòu)
?非鉗位感應(yīng)開關(guān)（UIS）的
額定
?低電感封裝
- 易于驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)
?快速內(nèi)在整流器
應(yīng)用
?DC - DC變換器
?同步整流
?電池充電器
?交換模式和諧振模式
電源供應(yīng)器
?直流斬波器
?交流電機(jī)控制
?溫度和照明控制
?低電壓繼電器
優(yōu)勢(shì)
?高功率，低姿態(tài)包
?節(jié)省空間
?高功率密度