參數(shù)資料
型號(hào)： PN5134
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Small Signal Transistors
中文描述： 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 25K
代理商： PN5134
P
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
CES
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
I
C
= 10
μ
A
V
CB
= 15 V, I
E
= 0, T
A
= 65
°
C
V
CE
= 15 V, I
C
= 0
10
20
3.5
20
V
V
V
V
μ
A
μ
A
10
0.4
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 0.4 V, I
C
= 30 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 3.3 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 3.3 mA
20
15
150
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.25
0.20
0.9
1.1
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
0.70
0.72
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
ob
Output Capacitance
h
fe
Small-Signal Current Gain
V
CB
= 5.0 V, f = 1.0 MHz
I
= 10 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
4.0
pF
2.5
SWITCHING CHARACTERISTICS
Storage Time
Turn-on Time
Delay Time
Rise Time
Turn-off Time
Storage Time
Fall Time
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
t
s
t
on
t
d
t
r
t
off
t
s
t
f
I
C
= I
B1
= I
B2
= 10 mA
V
CC
= 3.0 V, I
C
= 10 mA,
I
B1
= 3.3 mA
18
18
14
12
18
13
13
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 3.0V, I
C
= 10 mA
I
B1
= I
B2
= 3.3 mA
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PDF描述
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PN5136 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
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