參數(shù)資料
型號(hào)： PHN405
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 4 N-channel 60 mohm FET array enhancement mode MOS transistors
中文描述： 3700 mA, 30 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-150AC
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： PHN405
1998 Mar 17
8
Philips Semiconductors
Product specification
4 N-channel 60 m
FET array
enhancement mode MOS transistors
PHN405
Fig.10 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; typical values.
t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
65
°
C.
handbook, halfpage
IS
(A)
0
(1)
(2)
(3)
0.4
VSD (V)
0.8
1.2
6
2
0
4
MDA800
Fig.11 Drain-source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(1) I
D
= 0.25 A.
(2) I
D
= 0.5 A.
(3) I
D
= 1 A.
(4) I
D
= 2 A.
(5) I
D
= 4 A.
(6) I
D
= 8 A.
(7) I
D
= 10 A.
(8) I
D
= 13 A.
(9) I
D
= 16 A.
handbook, halfpage
10
0
(1)
(3)
(8)
2
4
VGS (V)
RDSon
(
)
6
8
1
10
1
10
2
MDA801
(2)
(4)(5)(6)(7)
(9)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHN708 7 N-channel 80 mohm FET array enhancement mode MOS transistors
PHONESENTRY 10-Bit, 500ksps ADCs in MSOP with Auto Shutdown; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C
PHOTOCONDUCTOR Optoelectronic
PHP1025 P-channel enhancement mode MOS transistor
PHP1035 P-channel enhancement mode MOS transistor
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參數(shù)描述
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