參數(shù)資料
型號(hào)： PHE13002AU
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 1.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： PHE13002AU
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
PHE13002AU
Fig.7. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid Lines = typ values, I
C
/I
B
= 3
Fig.8. Base-Emitter saturation voltage.
Solid Lines = typ values, I
C
/I
B
= 3
INDUCTIVE SWITCHING
Fig.9. Test circuit inductive load.
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V, L
C
= 200
μ
H; L
B
= 1
μ
H
Fig.10. Switching times waveforms with inductive load.
Fig.11. Inductive switching.
tfi = f(h
FE
)
Fig.12. Inductive switching.
tfi = f(I
C
)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
VCEsat/V
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
IC/A
VBEsat/V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
IC
IB
ICon
90 %
IBon
-IBoff
t
t
ts
toff
tf
10 %
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
50
100
150
200
HFE GAIN (IC/IB)
tfi /ns
IC = 1.5A
IC = 1A
IC = 0.5A
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
50
100
150
200
250
tfi /ns
IC/IB = 10
IC/IB = 5
January 2000
4
Rev 1.000
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PDF描述
PHE13003AU Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
PHE13003 Silicon Diffused Power Transistor
PHE448 Pulse capacitor, polypropylene film/foil
PHE820MB5100MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHE820MB5470MR06 High Efficiency Step-Down and Inverting DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
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參數(shù)描述
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PHE13003A,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHE13003A126 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1 A 3-TO-9
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