PUMD12/DG/B3,115

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PUMD12/DG/B3,115
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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深圳市科宏特電子有限公司
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聯(lián)系人：李瑞兵
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PUMD12/DG/B3,115 技術參數(shù)

PUMD12,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz，180MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:MD12 標準包裝:1 PUMD10,115 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:MD10 標準包裝:1 PUMB3,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMB2,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:MB2 標準包裝:1 PUMB13,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMD19,115 PUMD2,115 PUMD2,125 PUMD2,165 PUMD2/DG/B3,115 PUMD2/DG/B3,135 PUMD20,115 PUMD24,115 PUMD3,115 PUMD3,125 PUMD3,135 PUMD3,165 PUMD30,115 PUMD4,115 PUMD48,115 PUMD48,125 PUMD48,165 PUMD6,115