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PRG.N0.4GL.LC65GZ

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PRG.N0.4GL.LC65GZ 技術參數(shù)
  • PRFX1K80HR5 功能描述:RF FET 65V 1800W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:1.8MHz ~ 470MHz 增益:24dB 額定電流:100mA 噪聲系數(shù):- 功率 - 輸出:1800W 電壓 - 額定:182V 封裝/外殼:SOT-979A 供應商器件封裝:NI-1230-4H 標準包裝:1 PRF957,115 功能描述:TRANSISTOR SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:270mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 PRF949,115 功能描述:TRANSISTOR NPN 10V 9GHZ SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PRF947,115 功能描述:TRANSISTOR NPN 10V 8.5GHZ SOT323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 PRF21BE471QB5RA 功能描述:PTC Thermistor 470 Ohm 0805 (2012 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:POSISTOR? PRF18/21 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 25°C 時歐姆阻值:470 電阻容差:±50% 工作溫度:-20°C ~ 100°C 功率 - 最大值:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應商器件封裝:0805(2012 公制) 標準包裝:1 PRG18BB471MB1RB PRG18BB471MS1RB PRG18BC1R0MM1RB PRG18BC2R2MM1RB PRG18BC3R3MM1RB PRG18BC4R7MM1RB PRG18BC6R8MM1RB PRG21AR220MB1RK PRG21AR220MS1RK PRG21AR420MB1RA PRG21AR420MS1RA PRG21AR4R7MS5RA PRG21BB150MB1RK PRG21BB220MB1RK PRG21BC0R2MM1RA PRG21BC0R6MM1RA PRG21BC1R0MM1RA PRG21BC2R2MM1RA
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