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PQ-MDS-QOC3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • PQ-MDS-QOC3
    PQ-MDS-QOC3

    PQ-MDS-QOC3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Freescale Semiconductor -

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 百分百原裝 假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
PQ-MDS-QOC3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 開發(fā)板和工具包 - 其他處理器 QUAD OC3 ATM PMC CARD
  • RoHS
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 產(chǎn)品
  • Development Systems
  • 工具用于評估
  • P3041
  • 核心
  • e500mc
  • 接口類型
  • I2C, SPI, USB
  • 工作電源電壓
PQ-MDS-QOC3 技術參數(shù)
  • PQMD3Z 功能描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz,180MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQMD2Z 功能描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):22 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):22 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz,180MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQMD16Z 功能描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):22 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz,180MHz 功率 - 最大值:350mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQMD13Z 功能描述:TRANS NPN/PNP RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz,180MHz 功率 - 最大值:350mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQMD12Z 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:230MHz,180MHz 功率 - 最大值:350mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PQME3-D24-S3-M-TR PQME3-D24-S5-M PQME3-D24-S5-M-TR PQME3-D24-S9-M PQME3-D24-S9-M-TR PQME3-D48-S12-M PQME3-D48-S12-M-TR PQME3-D48-S15-M PQME3-D48-S15-M-TR PQME3-D48-S24-M PQME3-D48-S24-M-TR PQME3-D48-S3-M PQME3-D48-S3-M-TR PQME3-D48-S5-M PQME3-D48-S5-M-TR PQMH10Z PQMH11Z PQMH13Z
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