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PME261JB5220KR30

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  • PME261JB5220KR30
    PME261JB5220KR30

    PME261JB5220KR30

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Kemet

  • 標準封裝

  • 16+

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  • 假一罰十，百分百原裝

  • PME261JB5220KR30
    PME261JB5220KR30

    PME261JB5220KR30

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

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  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 百分百正品現(xiàn)貨 電話010-621049...

  • PME261JB5220KR30
    PME261JB5220KR30

    PME261JB5220KR30

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 8900

  • KEMET

  • DIP

  • 11+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

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PME261JB5220KR30 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 薄膜電容器 1Kvolts 0.022uF 10% LS 15.2mm
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Cornell Dubilier
  • 產(chǎn)品類型
  • 電介質
  • Polyester
  • 電容
  • 0.047 uF
  • 容差
  • 10 %
  • 電壓額定值
  • 100 V
  • 系列
  • 225P
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 85 C
  • 端接類型
  • Radial
  • 引線間隔
  • 9.5 mm
PME261JB5220KR30 技術參數(shù)
  • PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN（1.1x1） 標準包裝:1 PMDXB600UNEZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:600mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB600UNELZ 功能描述:20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:600mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30 PME271M615KR30
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