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PMCXB900UE

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6DFN
PMCXB900UE 技術參數(shù)
  • PMCXB1000UEZ 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):590mA(Ta),410mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):670 毫歐 @ 590mA,4.5V,1.4 歐姆 @ 410mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.05nC @ 4.5V,1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):30.3pF @ 15V,43.2pF @ 15V 功率 - 最大值:285mW(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMCPB5530X,115 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.3A,3.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):660pF @ 10V 功率 - 最大值:490mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMCM650VNEZ 功能描述:MOSFET N-CH 12V 4WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):15.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1060pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WLCSP(1.48x.98) 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMCM650CUNEZ 功能描述:PMCM650CUNE NAX000 NONE 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):- 功率 - 最大值:556mW(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 供應商器件封裝:6-WLCSP(1.48x0.98) 標準包裝:1 PMCM6501VPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 6WLCSP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.2A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):29.4nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1400pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):556mW(Ta), 12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 3A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WLCSP(1.48x.98) 封裝/外殼:6-XFBGA,WLCSP 標準包裝:1 PMD1204PPB1-A(2) PMD1204PPB1-A.(2).GN PMD1204PPB2-A.(2).GN PMD1204PPB3-A.(2).GN PMD1204PPBX-A(2).Z.F.PWM.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.GN PMD1204PPBX-A(2).Z.R.PWM.GN PMD1204PQB1-A (2) PMD1204PQB1-A (2) F PMD1204PQB1-A.(2).GN PMD1204PQB1-A.(2).U.F.GN PMD1204PQB1-A.(2).U.GN PMD1204PQB2-A.(2).GN PMD1204PQBX-A (2) F PMD1204PQBX-A.(2).F.GN PMD1204PQBX-A.(2).GN PMD1204PQV2-A.(2).U.GN PMD1206PKB1-A.(2).GN
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