PH9084.043NLT

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PH9084.043NLT 技術(shù)參數(shù)

PH9084.034NLT 功能描述:XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB 制造商:pulse electronics power 系列:- 零件狀態(tài):在售配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 安裝類型:表面貼裝高度 - 安裝（最大值）:0.211"（5.35mm）標準包裝:1 PH9084.021NLT 功能描述:XFMR GATE-DR 2CT:1CT SM NPB 制造商:pulse electronics power 系列:- 零件狀態(tài):在售配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 安裝類型:表面貼裝高度 - 安裝（最大值）:0.211"（5.35mm）標準包裝:1 PH9084.011NLT 功能描述:XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB 制造商:pulse electronics power 系列:- 零件狀態(tài):在售配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:- 安裝類型:表面貼裝高度 - 安裝（最大值）:0.211"（5.35mm）標準包裝:1 PH8230E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:67A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 10A，10V 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PH75S280-24 功能描述:CONVERT DC-DC 24V 75W 3.2A 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:隔離模塊輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:200V 電壓 - 輸入（最大值）:400V 電壓 - 輸出 1:24V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:3.2A 功率（W）:75W 電壓 - 隔離:3kV 應(yīng)用:ITE（商業(yè)）特性:遠程開/關(guān)，OCP，OVP 工作溫度:-20°C ~ 85°C 效率:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:模塊大小/尺寸:3.85" 長 x 1.61" 寬 x 0.50" 高（86.0mm x 41.0mm x 12.7mm）控制特性:使能，低電平有效標準包裝:1 PH9085NLKIT PH9184.011NLT PH9184.021NLT PH9184.034NLT PH9185.011NL PH9185.011NLT PH9185.012NL PH9185.012NLT PH9185.013NL PH9185.013NLT PH9185.021NL PH9185.021NLT PH9185.034NL PH9185.034NLT PH9185.038NL PH9185.038NLT PH9185.043NL PH9185.043NLT