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PH7264H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • PH7264H
    PH7264H

    PH7264H

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SofTec Microsystems SRL

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 百分百原裝 假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
PH7264H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • PROG HEAD FOR MP8011A 32-DIP
  • RoHS
  • 類別
  • 編程器,開發(fā)系統(tǒng) >> 過時/停產(chǎn)零件編號
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 類型
  • MCU
  • 適用于相關(guān)產(chǎn)品
  • Freescale MC68HC908LJ/LK(80-QFP ZIF 插口)
  • 所含物品
  • 面板、纜線、軟件、數(shù)據(jù)表和用戶手冊
  • 其它名稱
  • 520-1035
PH7264H 技術(shù)參數(shù)
  • PH7030L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):68A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.9 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1362pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH6530AL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH6325L,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):78.7A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13.3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1871pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.3 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.7 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH50S280-15 功能描述:Isolated Module DC DC Converter 1 Output 15V 3.4A 200V - 400V Input 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包裝:- 零件狀態(tài):在售 類型:隔離模塊 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入(最小值):200V 電壓 - 輸入(最大值):400V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出(最大值):3.4A 功率(W) - 制造系列:50W 電壓 - 隔離:3kV(3000V) 應(yīng)用:ITE(商業(yè)) 特性:遠(yuǎn)程開/關(guān),OCP,OTP,OVP 安裝類型:通孔 封裝/外殼:模塊 大小/尺寸:3.85" 長 x 2.83" 寬 x 0.50" 高(86.0mm x 72.0mm x 12.7mm) 工作溫度:-20°C ~ 85°C 效率:- 功率(W) - 最大值:50W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH75A28024 PH75A28028 PH75A2803.3 PH75A28048 PH75A2805 PH75F110-12 PH75F110-15 PH75F110-2 PH75F110-24 PH75F110-28 PH75F110-3 PH75F110-5 PH75F280-12 PH75F280-15 PH75F280-2 PH75F280-24 PH75F280-28 PH75F280-3
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