參數(shù)資料
型號： NTB5605P
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 18.5 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 62K
代理商： NTB5605P
NTB5605P
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
D
2
PAK
CASE 418B04
ISSUE H
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SEATING
PLANE
S
G
D
T
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
F
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.310
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
0.350
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
7.87
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
8.89
MILLIMETERS
INCHES
G
H
J
K
L
M
N
P
R
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.052
0.280
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
1.32
7.11
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
0.110
0.025
0.110
0.072
0.320
2.79
0.64
2.79
1.83
8.13
S
V
0.575
0.045
0.625
0.055
14.60
1.14
15.88
1.40
B
M
B
W
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B01 THRU 418B03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B04.
M
L
F
M
L
F
M
L
F
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
R
N
P
U
VIEW WW
1
VIEW WW
2
VIEW WW
3
SOLDERING FOOTPRINT
8.38
0.33
1.016
0.04
17.02
0.67
10.66
0.42
3.05
0.12
6.096
0.24
mm
inches
SCALE 3:1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTB5605PT4 Power MOSFET
NTB75N03L09 Power MOSFET 75Amps, 30Volts(75A，30V功率MOSFET)
NTP75N03L09 Power MOSFET 75Amps, 30Volts(75A，30V功率MOSFET)
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NTB5605PT4 功能描述:MOSFET -60V -18.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB5605PT4G 功能描述:MOSFET -60V -18.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB5605T4G 功能描述:MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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