參數(shù)資料
型號： NTB5605P
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 18.5 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： NTB5605P
NTB5605P
http://onsemi.com
4
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
G
,
R
G
, GATE RESISTANCE (
)
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
S
,
t
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
D
,
E
A
,
A
1000
100
10
1
0.1
1000
100
1
1
8
6
4
2
0
400
350
200
150
100
50
0
20
15
10
5
0
10
2400
2200
10
2000
1800
15
5
0
20
1600
1400
1200
1000
800
600
0
5
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
25
0
8
12
4
1
10
100
0
0.75
0.5
0.25
1.25
1.75
0.1
10
100
1
25
125
150
100
75
50
400
200
1
1.5
10
16
I
D
= 17 A
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
C
iss
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
V
DD
= 30 V
I
D
= 17 A
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 15 A
t
r
t
f
t
d(off)
t
d(on)
R
Limit
Thermal Limit
Package Limit
Q
T
Q
DS
Q
GS
10 ms
1 ms
100
μ
s
dc
V
GS
V
DS
V
DS
10
μ
s
300
250
D
,
3
5
7
60
45
30
15
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTB5605PT4 Power MOSFET
NTB75N03L09 Power MOSFET 75Amps, 30Volts(75A，30V功率MOSFET)
NTP75N03L09 Power MOSFET 75Amps, 30Volts(75A，30V功率MOSFET)
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NTB5605PT4 功能描述:MOSFET -60V -18.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB5605PT4G 功能描述:MOSFET -60V -18.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB5605T4G 功能描述:MOSFET PFET 60V 18.5A TR D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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