參數(shù)資料
型號: NTB45N06T4
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: JFETs
英文描述: Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
中文描述: 45 A, 60 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 64K
代理商: NTB45N06T4
NTP45N06, NTB45N06
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
D2PAK
CASE 418B–03
ISSUE D
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SEATING
PLANE
S
G
D
–T–
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
S
V
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.575
0.045
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
14.60
1.14
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
MILLIMETERS
INCHES
0.110
0.025
0.110
0.625
0.055
2.79
0.64
2.79
15.88
1.40
–B–
M
B
相關PDF資料
PDF描述
NTP45N06 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTP45N06D Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTB52N10 Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode(52A,100V,N通道,增強模式功率MOSFET)
NTB5605P Power MOSFET
NTB5605PT4 Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NTB52N10 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB52N10G 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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