| 型號(hào): | NTB45N06T4 |
| 廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts |
| 中文描述: | 45 A, 60 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝: | CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商: | NTB45N06T4 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP45N06 | Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts |
| NTP45N06D | Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts |
| NTB52N10 | Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode(52A,100V,N通道,增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| NTB5605P | Power MOSFET |
| NTB5605PT4 | Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NTB45N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB52N10 | 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB52N10G | 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NTB52N10G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTB52N10T4 | 功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |