參數資料
型號: NTB45N06
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: JFETs
英文描述: Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
中文描述: 45 A, 60 V, 0.026 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 64K
代理商: NTB45N06
NTP45N06, NTB45N06
http://onsemi.com
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t, TIME (s)
Normalized to R
θ
JC at Steady State
Figure 13. Thermal Response
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Figure 14. Thermal Response
t, TIME (s)
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1000
100
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0.1
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Normalized to R
θ
JA at Steady State,
1
square Cu Pad, Cu Area 1.127 in2,
3 x 3 inch FR4 board
相關PDF資料
PDF描述
NTB45N06T4 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTP45N06 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTP45N06D Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
NTB52N10 Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode(52A,100V,N通道,增強模式功率MOSFET)
NTB5605P Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
NTB45N06G 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB45N06L 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB45N06LG 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB45N06LT4 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB45N06LT4G 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube