參數(shù)資料
型號(hào)： NTB27N06L
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Power MOSFET 27Amps, 60 Volts,Logic Level N-Channel TO-220(27A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO-220封裝的功率MOSFET)
中文描述： 27 A, 60 V, 0.048 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-03, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： NTB27N06L
NTP27N06L, NTB27N06L
http://onsemi.com
7
INFORMATION FOR USING THE D2PAK SURFACE MOUNT PACKAGE
RECOMMENDED FOOTPRINT FOR SURFACE MOUNTED APPLICATIONS
Surface mount board layout is a critical portion of the
total design. The footprint for the semiconductor packages
must be the correct size to ensure proper solder connection
interface between the board and the package. With the
correct pad geometry, the packages will self align when
subjected to a solder reflow process.
mm
inches
0.33
8.38
0.08
2.032
0.04
1.016
0.63
17.02
0.42
10.66
0.12
3.05
0.24
6.096
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTP27N06L Power MOSFET 27Amps, 60 Volts,Logic Level N-Channel TO-220(27A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO-220封裝的功率MOSFET)
NTB30N06 Power MOSFET 30Amps, 60 Volts, N-Channel TO-220(30A, 60 V，N通道TO-220封裝的功率MOSFET)
NTB30N20 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode(30A，200V，N通道，增強(qiáng)模式功率MOSFET)
NTB35N15 Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode(37A，150V，N通道，增強(qiáng)模式功率MOSFET)
NTB45N06 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTB27N06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NTB27N06T4 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 27 Amps, 60 Volts N?Channel TO?220 and D2PAK
NTB30N06 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30Amps, 60 Volts, N-Channel TO-220
NTB30N06G 功能描述:MOSFET NFET 60V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB30N06L 功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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