參數(shù)資料
型號(hào)： NTB25P06T4G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
中文描述： 27.5 A, 60 V, 0.082 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 56K
代理商： NTB25P06T4G
NTB25P06
http://onsemi.com
3
50
40
30
20
10
0
0.095
0.085
0.075
0.065
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
,
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
,
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
D
,
1.5
1.75
1.25
1
0.5
100
10
1000
10000
0
6
4
2
50
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
0
0.2
0.15
0.1
40
30
20
0.05
0
10
50
Figure 3. OnResistance vs. Drain Current and
Temperature
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
50
50
25
0
25
75
125
100
2
8
4
0
30
40
20
10
50
60
40
35
30
20
15
10
5
0
40
30
20
10
50
150
0.75
8
10
6
8 V
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
9 V
7 V
6 V
5.5 V
5 V
4.5 V
4.2 V
V
GS
= 15 V
V
GS
= 10 V
45
25
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
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PDF描述
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