參數(shù)資料
型號(hào)： NTB25P06T4G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
中文描述： 27.5 A, 60 V, 0.082 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： NTB25P06T4G
NTB25P06
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
DraintoSource Breakdown Voltage (Note 3)
(V
GS
= 0 V, I
D
= 250 A)
(Positive Temperature Coefficient)
V
(BR)DSS
60
64
V
mV/
°
C
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
GS
= 0 V, V
DS
= 60 V, T
J
= 25
°
C)
(V
GS
= 0 V, V
DS
= 60 V, , T
J
= 150
°
C)
I
DSS
10
100
A
GateBody Leakage Current (V
GS
=
±
15
V, V
DS
= 0 V)
I
GSS
±
100
nA
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= V
GS,
I
D
= 250 A)
(Negative Threshold Temperature Coefficient)
V
GS(th)
2.0
2.8
6.2
4.0
V
mV/
°
C
Static DrainSource OnState Resistance
(V
GS
= 10 V, I
D
= 12.5 A)
(V
GS
= 10 V, I
D
= 25 A)
R
DS(on)
0.065
0.070
0.075
0.082
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 V, I
D
= 12.5 A)
gFS
13
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
iss
1200
1680
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz)
C
oss
345
480
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
90
180
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Notes 3 & 4)
TurnOn Delay Time
t
d(on)
14
24
ns
Rise Time
(V
DD
= 30 V, I
D
= 25 A,
V
GS
= 10 V R
G
= 9.1 )
t
r
72
118
ns
TurnOff Delay Time
t
d(off)
43
68
ns
Fall Time
t
f
190
320
ns
Gate Charge
Q
T
33
50
nC
(V
DS
= 48 V, I
D
= 25 A,
GS
V
= 10 V)
Q
1
6.5
Q
2
15
BODYDRAIN DIODE RATINGS
(Note 3)
Diode Forward OnVoltage
(I
S
= 25 A, V
GS
= 0 V)
(I
S
= 25 A, V
GS
= 0 V, T
J
= 150
°
C)
V
SD
1.8
1.4
2.5
V
Reverse Recovery Time
t
rr
70
ns
(I
S
= 25 A, V
= 0 V,
dI
S
/dt = 100 A/ s)
t
a
50
t
b
20
Reverse Recovery Stored Charge
Q
RR
0.2
C
3. Indicates Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
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PDF描述
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