參數(shù)資料
型號(hào)： NTB25P06G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
中文描述： 27.5 A, 60 V, 0.082 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： NTB25P06G
NTB25P06
http://onsemi.com
3
50
40
30
20
10
0
0.095
0.085
0.075
0.065
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
,
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
,
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
I
D
, DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
,
R
D
,
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
,
(
D
,
1.5
1.75
1.25
1
0.5
100
10
1000
10000
0
6
4
2
50
Figure 1. OnRegion Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
0
0.2
0.15
0.1
40
30
20
0.05
0
10
50
Figure 3. OnResistance vs. Drain Current and
Temperature
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
50
50
25
0
25
75
125
100
2
8
4
0
30
40
20
10
50
60
40
35
30
20
15
10
5
0
40
30
20
10
50
150
0.75
8
10
6
8 V
V
DS
≥
10 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
9 V
7 V
6 V
5.5 V
5 V
4.5 V
4.2 V
V
GS
= 15 V
V
GS
= 10 V
45
25
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTB25P06T4 Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
NTB25P06T4G Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
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NTP27N06L Power MOSFET 27Amps, 60 Volts,Logic Level N-Channel TO-220(27A, 60 V,邏輯電平，N通道，TO-220封裝的功率MOSFET)
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