參數(shù)資料
型號(hào)： NTB25P06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
中文描述： 27.5 A, 60 V, 0.082 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418B-04, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： NTB25P06
NTB25P06
http://onsemi.com
4
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
G
,
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
S
,
t
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
D
,
E
A
,
A
1000
100
10
1
0.1
1000
100
1
10
8
6
4
2
0
600
500
400
300
200
100
0
25
20
15
10
5
0
10
3000
10
2500
15
5
0
20
2000
1500
1000
0
5
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
25
0
15
20
10
25
4
1
10
100
0
0.75
0.5
0.25
1.25
1.75
0.1
10
100
1
25
125
150
100
75
50
500
1
1.5
10
30
35
I
D
= 25 A
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
V
DD
= 30 V
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 25 A
t
r
t
d(off)
t
d(on)
t
f
R
Limit
Thermal Limit
Package Limit
Q
T
Q
2
Q
1
10 ms
1 ms
100 s
dc
V
GS
V
DS
V
DS
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PDF描述
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