參數(shù)資料
型號(hào)： NTA4151P
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Small Signal MOSFET(小信號(hào)P溝道-20V，-760mA MOSFET 帶ESD保護(hù))
中文描述： 小信號(hào)MOSFET（小信號(hào)P溝道- 20V的，-七六零毫安MOSFET的帶靜電放電保護(hù)）
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
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代理商： NTA4151P
NTA4151P, NTE4151P
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SC75 / SOT416
CASE 46301
ISSUE F
STYLE 5:
PIN 1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
M
0.20 (0.008)
D
E
D
b
e
3 PL
0.20 (0.008) E
C
L
A
A1
3
2
1
H
E
DIM
A
A1
b
C
D
E
e
L
MIN
0.70
0.00
0.15
NOM
0.80
0.05
0.20
MAX
0.90
0.10
0.30
MILLIMETERS
0.10
1.55
0.70
0.15
1.60
0.80
0.25
1.65
0.90
1.00 BSC
0.15
1.60
0.027
0.000
0.006
0.031
0.002
0.008
0.035
0.004
0.012
0.004
0.059
0.027
0.006
0.063
0.031
0.010
0.067
0.035
0.04 BSC
0.006
0.063
MIN
NOM
MAX
INCHES
H
E
0.10
1.50
0.20
1.70
0.004
0.061
0.008
0.065
SC89
CASE 463C03
ISSUE C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD
FINISH THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS
IS THE MINIMUM THICKNESS OF BASE
MATERIAL.
4. 463C01 OBSOLETE, NEW STANDARD 463C02.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
M
N
S
MIN
1.50
0.75
0.60
0.23
NOM
1.60
0.85
0.70
0.28
0.50 BSC
0.53 REF
0.15
0.40
1.10 REF
1.60
MIN
0.059
0.030
0.024
0.009
NOM
0.063
0.034
0.028
0.011
0.020 BSC
0.021 REF
0.006
0.016
0.043 REF
0.063
INCHES
1.70
0.95
0.80
0.33
MILLIMETERS
0.10
0.30
0.20
0.50
0.004
0.012
1.50
10
10
1.70
0.059
0.067
0.040
0.031
0.013
0.008
0.020
10
10
0.067
MAX
MAX
G
M
0.08 (0.003)
X
D
3 PL
J
X
Y
A
B
Y
1
2
3
N
2 PL
K
C
T
SEATING
M
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTE4151P Small Signal MOSFET( -20V，-760mA，功率MOSFET)
NTA4153N Small Signal MOSFET(小信號(hào)N溝道20V，915mA MOSFET 帶ESD保護(hù))
NTE4153N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
NTA Isolated 1W Dual Output SM DC-DC Converters
NTB10N40 Power MOSFET 10 Amps, 401 Volts N-Channel(10A,400V,N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管(D2PAK封裝）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTA4151PT1 功能描述:MOSFET -20V -760mA PChannel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTA4151PT1G 功能描述:MOSFET -20V -760mA PChannel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTA4151PT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -20V 760mA SC-75 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -20V, 760mA SC-75
NTA4151PT1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET SC75 20V 760MA TR - Tape and Reel
NTA4153N 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SC−75 and SC−89
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