高功率碳化硅襯底氮化鎵工藝幫助通訊系統(tǒng)運(yùn)營商和軍用系統(tǒng)供應(yīng)商，充分利用 gan 的高效率并節(jié)約運(yùn)營成本
2012年7月18日，中國上海訊 - 科銳公司宣布推出兩項(xiàng)新型gan工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40v的g40v4和0.4微米、漏極電壓最高為50v的g50v3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更小尺寸裸芯片和更緊湊、更高效率放大器。兩項(xiàng)新技術(shù)均與科銳業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的gan單片式微波集成電路（mmic）技術(shù)相兼容，可應(yīng)用在具有全套無源電路元件和非線性模型的直徑為100毫米的碳化硅晶圓片上。
新的工藝技術(shù)現(xiàn)已應(yīng)用于研發(fā)和量產(chǎn)。通過這兩項(xiàng)最新技術(shù)，科銳能夠提供包括全套和專用掩模組在內(nèi)的多項(xiàng)代工服務(wù)以促進(jìn)定制電路的快速發(fā)展。g40v4 工藝可在28v 和40v 兩種工作電壓、18ghz 以下的場效應(yīng)晶體管（fet）外緣的射頻功率密度 6w/mm的環(huán)境下進(jìn)行。g50v3 工藝可在工作電壓為50v、6ghz 以下的場效應(yīng)晶體管（fet）外緣的無線射頻功率密度8w/mm的環(huán)境下進(jìn)行。兩項(xiàng)工藝技術(shù)全部基于科銳先前發(fā)布的 g28v3 工藝技術(shù)。自2006年應(yīng)用于生產(chǎn)以來，0.4微米、工作電壓為28v 的 g28v3 工藝技術(shù)是業(yè)內(nèi)現(xiàn)場故障率最低的微波技術(shù)之一（每10億小時中有9個故障器件）。
科銳估計(jì)，如果在典型三部式多波段 lte/4g 通訊遠(yuǎn)程無線電頭端（rrh）的安裝中以 gan 替代傳統(tǒng)晶體管技術(shù)，可減少高達(dá) 20% 的 rrh 功耗，從而降低運(yùn)營成本和能耗。除此之外，新工藝還能夠降低初始系統(tǒng)成本。gan工藝的高電壓和高效率能夠幫助縮小散熱器和外殼尺寸、降低無線射頻放大器的設(shè)計(jì)復(fù)雜性以及減少交流至直流和直流至直流轉(zhuǎn)換器的成本。此外，現(xiàn)在空氣就可替代以前所需的大型風(fēng)扇實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)冷卻。所有這些改進(jìn)可節(jié)約高達(dá)10%的材料成本，大幅降低系統(tǒng)購置成本。
軍用雷達(dá)系統(tǒng)也可獲得同樣的優(yōu)勢?？其Jgan工藝的高效率能夠在減少工作功耗的同時減少維修費(fèi)用，因此能夠顯著優(yōu)化系統(tǒng)壽命周期成本。g40v4 和 g50v3 工藝的工作（通道）結(jié)溫為225？c，平均壽命超過兩百萬小時（228年），其卓越的可靠性能夠顯著降低雷達(dá)系統(tǒng)在工作壽命內(nèi)的維修和維護(hù)成本。
科銳無線射頻（rf）及微波部門總監(jiān) jim milligan表示："我們的客戶需要可靠且更高頻率的工藝用于開發(fā) gan 的優(yōu)勢并應(yīng)用于包括衛(wèi)星通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)市場在內(nèi)的高于6ghz 的領(lǐng)域，我們相信全新的 g40v4 工藝能夠很好地滿足客戶的需求。同時，針對客戶對低成本 gan 解決方案的需求，科銳新推出了工作電壓為50v的g50v3工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的無線射頻輸出功率性價比，旨在加速 gan 在通訊基礎(chǔ)設(shè)施等對成本極其敏感的市場領(lǐng)域中的普及， gan 現(xiàn)在能夠在這些領(lǐng)域中提供硅 ldmos 無法比擬的性能優(yōu)勢。"