參數(shù)資料
型號(hào)： NDS8426A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 10500 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 197K
代理商： NDS8426A
NDS8426A Rev.B
1
0
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
1.5
2
0
10
20
30
40
I
D
V =4.5V
3.5
1.5
2.7
2.5
2.0
0
8
16
24
32
40
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0 V
R
D
4.5
2.7
3.5
3.0
2.5
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
Typical Electrical Characteristics
0
10
20
30
40
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V =4.5V
J
25°C
-55°C
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
8
16
24
32
40
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
25
125
V = 5V
D
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
G
V
G
I = 250μA
V = V
GS
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = 4.5V
I = 10.5A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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