參數(shù)資料
型號(hào)： NDS355N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.6A，30V，0.125Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流1.6A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.125Ω）)
中文描述： 1600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 74K
代理商： NDS355N
NDS355N Rev. D1
0
2
4
I , DRAIN CURRENT (A)
6
8
10
12
0
2
4
6
8
g
F
V = 5V
TJ
25°C
-55°C
0.1
1
2
5
10
20
30
50
0.01
0.1
0.5
1
2
10
20
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
SINGLE PULSE
T = 25°C
RDS(ON) Limit
DC
1s
10ms
1ms
100us
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R JA
R JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
Note : Characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will
change depending on the circuit board design.
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PDF描述
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