參數(shù)資料
型號： NDS355N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.6A，30V，0.125Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流1.6A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.125Ω）)
中文描述： 1600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： NDS355N
NDS355N Rev. D1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.01
0.1
1
10
20
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
V = 0V
S
TJ
25°C
-55°C
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
V = 5V
G
10
I = 1.6A
15
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
30
50
100
200
300
500
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
C ss
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics
(continued)
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