參數(shù)資料
型號： NDS355N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.6A，30V，0.125Ω）(N溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流1.6A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.125Ω）)
中文描述： 1600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： NDS355N
NDS355N Rev. D1
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current
0
1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
4
0
3
6
9
12
I
D
6.0 5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
V =10V
0
3
6
9
12
0.5
1
1.5
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
6.0
5.0
4.5
4.0
10
V =3.5V
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V =4.5V
I = 1.6A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
V
t
V = V
I = 250μA
GS
0
2
4
I , DRAIN CURRENT (A)
6
8
10
12
0.5
1
1.5
2
2.5
3
D
TJ
25°C
-55°C
V = 4.5V
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
1
2
3
4
5
6
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
TJ
25°C
125°C
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PDF描述
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