參數(shù)資料
型號(hào)： NDS352AP
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.9A，-30V，0.5Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-0.9A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.5Ω）)
中文描述： 900 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： NDS352AP
NDS352Ap Rev.C
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Source Current and Temperature
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.94
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
1.08
1.1
D
I = -250μA
B
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
4
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
S
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
30
20
30
50
100
200
300
400
-VDS
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
V = -5V
-10
-15
I = -0.9A
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
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PDF描述
NDS352P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.85A，-20V，0.5Ω）(P溝道邏輯增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流-0.85A, 漏源電壓-20V，導(dǎo)通電阻0.5Ω）)
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