參數(shù)資料
型號： NDS352AP
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.9A，-30V，0.5Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應(yīng)管（漏電流-0.9A, 漏源電壓-30V，導(dǎo)通電阻0.5Ω）)
中文描述： 900 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 78K
代理商： NDS352AP
NDS352AP Rev.C
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
Typical Electrical Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
-4
-3
-2
-1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = -4.5V
J
25°C
-55°C
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-4
-3.2
-2.4
-1.6
-0.8
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
25
125
V = -10V
DS
D
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -4.5V
I = -0.9A
R
D
-5
-4
-3
-2
-1
0
-5
-4
-3
-2
-1
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
-3.0
-3.5
-7.0
-5.0
-4.5
-4.0
-6.0
-5.5
-5
-4
-3
-2
-1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -3.5 V
R
D
-10
-5.5
-6.0
-4.5
-7.0
-4.0
-5.0
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PDF描述
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