參數(shù)資料
型號： NDS351N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.1A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.1A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
中文描述： 1100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： NDS351N
NDS351N Rev. E2
0
2
4
6
8
0
2
4
6
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V = 5V
125°C
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
20
I
D
V = 10V
SINGLE PULSE
T = 25°C
DC
10s
100ms
10ms
1ms
100us
RDS(ON) LIMIT
Figure 13. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R JA
R JA
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
Note : Characterization performed using the conditions described in note 1c. Transient thermal response will
change depending on the circuit board design.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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