參數資料
型號： NDS351N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.1A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.1A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
中文描述： 1100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： NDS351N
NDS351N Rev. E2
0
1
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
4
0
2
4
6
8
I
D
V = 10V
2.5
6.0
5.0
4.5
4.0
3.0
3.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 4.5V
I = 1.1A
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
I = -250μA
V = V
GS
V
t
0
2
4
6
8
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = 3.0V
10
4.0
6.0
5.0
4.5
3.5
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate Voltage
and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 10V
TJ
25
125°C
0
2
4
6
8
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
J
25°C
-55°C
V = 4.5 V
R
D
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PDF描述
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