參數(shù)資料
型號： NDS336P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-1.2A，-20V，0.27Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流-1.2A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.27Ω）)
中文描述： 1200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： NDS336P
NDS336P Rev. D
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and
Temperature
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.96
0.98
1
1.02
1.04
1.06
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = - 250μA
B
D
0.2
0.4
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
5
-
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
S
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
40
60
100
200
300
500
800
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C s
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
Q , GATE CHARGE (nC)
-
G
I = -1.2A
V = -5V
-10V
-15V
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDS336 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS351AN N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.2A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.2A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
NDS351N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（1.1A，30V，0.25Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流1.1A, 漏源電壓30V，導通電阻0.25Ω）)
NDS352AP P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.9A，-30V，0.5Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流-0.9A, 漏源電壓-30V，導通電阻0.5Ω）)
NDS352P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（-0.85A，-20V，0.5Ω）(P溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流-0.85A, 漏源電壓-20V，導通電阻0.5Ω）)
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參數(shù)描述
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NDS336P_D87Z 功能描述:MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS351AN 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDS351AN 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
NDS351AN_Q 功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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