參數(shù)資料
型號： NDS336
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： P溝道增強(qiáng)模式的邏輯電平場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： NDS336
NDS336P Rev. D
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Typical Electrical Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
-10
-8
-6
-4
-2
0
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -2.7V
J
25°C
-55°C
R
D
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
-5
-4
-3
-2
-1
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
-25°C
V = -5V
DS
D
J
-125°C
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
V
G
I = -250μA
V = V
GS
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = -2.7V
I = -1.2A
R
D
-5
-4
-3
-2
-1
0
-10
-8
-6
-4
-2
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -4.5V
-2.0
-2.5
-3.5
-4.0
-3.0
-2.7
-10
-8
-6
-4
-2
0
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V =-2.0V
-4.5
-3.5
-4.0
-3.0
-2.7
-2.5
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PDF描述
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