參數(shù)資料
型號(hào)： NDS332P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 1000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： SUPERSOT-3
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： NDS332P
NDS332P Rev.E
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
.
Typical Electrical Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
Figure 5. Transfer Characteristics
.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature.
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
I , DRAIN CURRENT (A)
-0.5
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
R
D
V = -2.7 V
TJ
25°C
-55°C
-2
-1.75
-1.5
-1.25
-1
-0.75
-0.5
-1.5
-1.2
-0.9
-0.6
-0.3
0
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
V = - 3V
DS
25°C
125°C
D
TJ
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
G
I = -250μA
D
V = V
GS
V
t
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
V = -2.7
I = -1A
R
D
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
-2.5
V = -4.5V
-3.5
-2.0
-1.5
-2.7
-3.0
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
I , DRAIN CURRENT (A)
-0.5
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
V =-2.0V
-2.7
R
D
-3.0
-4.5
-3.5
-2.5
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