參數(shù)資料
型號： NDS331
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強模式的邏輯電平場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： NDS331
NDS331N Rev.E
Figure 1. On-Region Characteristics.
0
1
2
3
0
1
2
3
4
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
3.0
2.7
V =4.5V
2.5
1.5
2.0
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
0
0.5
1
I , DRAIN CURRENT (A)
1.5
2
2.5
3
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
D
TJ
25°C
V = 2.7 V
-55°C
R
D
Figure 4. On-Resistance Variation
with Drain Current and Temperature
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
V = 2.7V
I = 1.3A
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
2
3
4
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
J
Figure 5. Transfer Characteristics
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0V
R
D
3.5
4.5
2.7
3.0
2.5
Typical Electrical Characteristics
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PDF描述
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