參數(shù)資料
型號： NDP7051
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 70 A, 50 V, 0.013 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 360K
代理商： NDP7051
Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I
S
I
SM
V
SD
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
70
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
210
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 35 A
(
Note 1)
0.9
1.3
V
T
J
= 125°C
0.8
1.2
t
rr
I
rr
THERMAL CHARACTERISTICS
Reverse Recovery Time
V
GS
= 0 V, I
F
= 70 A, dI
F
/dt = 100 A/μs
40
105
150
ns
Reverse Recovery Current
2
4.5
10
A
R
θ
JC
R
θ
JA
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1.15
°
C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62.5
°
C/W
NDP7051 Rev. D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB7051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7052L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NDP7052 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDP706 制造商:UNI 功能描述:706
NDP7060 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH ENHANCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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