參數(shù)資料
型號： NDP610AE
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 26 A, 100 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： NDP610AE
NDP610.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.1
1
10
30
I
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
S
0
20
40
60
80
0
5
10
15
20
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 26A
V = 20V
80
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
50
100
200
300
1000
2000
3000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature
.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and
Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics.
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
Figure 36. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
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