參數(shù)資料
型號(hào)： NDP6060
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 48 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 360K
代理商： NDP6060
NDP6060 Rev. B1 / NDB6060 Rev. C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
60
I
S
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
0
20
40
60
80
0
5
10
15
20
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
48V
I = 48A
V = 12V
24V
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200
300
500
1000
2000
3000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE W IDTH
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP610BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（24A，100V，0.080Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流24A, 漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.080Ω）)
NDB610A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDP6060 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
NDP6060_Q 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP6060L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP6060L 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
NDP606A 制造商:NSC 制造商全稱(chēng):National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*