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參數資料
| 型號： | NDP605B |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
| 中文描述： | 42 A, 50 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 184K |
| 代理商： | NDP605B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDP606A | N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
| NDP606B | N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor |
| NDP6060L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB6060L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP6060 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NDP605BEL | 制造商:Texas Instruments 功能描述: |
| NDP6060 | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDP6060 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| NDP6060_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDP6060L | 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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