參數(shù)資料
型號(hào)： NDP6030PL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 30 A, 30 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： NDP6030PL
NDP6030.RevB
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0
10
20
30
40
50
0
3
6
9
12
15
Q , GATE CHARGE (nC)
V
V = 10V
G
20V
I = 46A
15V
0.1
0.3
1
3
10
30
200
500
1000
2000
4000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
Figure 8.Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
0.5
1
3
5
10
20
30
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
300
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V))
I
D
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 2 C/W
T = 25 °C
100μs
1ms
10ms
DC
R Lmt
DS(ON)
JC
10μs
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
0.01
0.1
1
10
100
1,000
0
200
400
600
800
1000
SINGLE PULSE TIME (ms)
P
SINGLE PULSE
R =2.0° C/W
T = 25°C
θ
JC
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power
Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME (ms)
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
r
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 2.0 °C/W
JC
T - T = P * R JC
P(pk)
t
1
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB6030 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（46A,30V，0.018Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流46A, 漏源電壓30V，導(dǎo)通電阻0.018Ω）)
NDP603AL N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB603AL N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB603 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDP6050 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP6050L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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