參數(shù)資料
型號： NDP4050L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
中文描述： 15 A, 50 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 68K
代理商： NDP4050L
NDP4050L Rev. B / NDB4050L Rev. C
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
I , DRAIN CURRENT (A)
g
J
25°C
F
V = 10V
125°C
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current and Temperature
Figure 14. Maximum Safe Operating Area
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.00005 0.0001
0.0005
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
00.00001
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
t ,TIME
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 3.0 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
1
2
5
10
30
50
70
0.5
1
5
10
20
50
70
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
DC
RDS(ON) LIMIT
100us
1ms
10ms
50ms
V = 10V
SINGLE PULSE
R = 3 C/W
T = 25°C
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PDF描述
NDB4050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDP4050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDB4050 0 OHM 1% 1/20W SMT (0402) CHIP RES
NDP4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 650V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
NDB4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.10Ω）)
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參數(shù)描述
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NDP4060_Q 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP4060L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP4060L_Q 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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