參數(shù)資料
型號： NDP4050L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導通電阻0.10Ω）)
中文描述： 15 A, 50 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： NDP4050L
Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I
S
I
SM
V
SD
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
15
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
45
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 7.5 A
(Note 1)
0.95
1.3
V
T
J
= 125°C
0.88
1.2
t
rr
Reverse Recovery Time
V
GS
= 0 V, I
= 15 A,
dI
F
/dt = 100 A/μs
51
100
ns
I
rr
THERMAL CHARACTERISTICS
Reverse Recovery Current
3.6
7
A
R
θ
JC
R
θ
JA
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
Thermal Resistance, Junction-to-Case
3
°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62.5
°C/W
NDP4050L Rev. B / NDB4050L Rev. C
相關PDF資料
PDF描述
NDB4050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導通電阻0.10Ω）)
NDP4050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 50V，0.10Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓50V，導通電阻0.10Ω）)
NDB4050 0 OHM 1% 1/20W SMT (0402) CHIP RES
NDP4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 650V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導通電阻0.10Ω）)
NDB4060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（15A, 60V，0.10Ω）(N溝道邏輯電平增強型MOS場效應管（漏電流15A, 漏源電壓60V，導通電阻0.10Ω）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NDP4060 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP4060 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
NDP4060_Q 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP4060L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP4060L_Q 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*