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參數(shù)資料
| 型號： | NDB7061 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 64 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 360K |
| 代理商： | NDB7061 |
TO-263AB/D
2
PAK (FS PKG Code 45)
TO-263AB/D
2
PAK Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
August 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NDP708A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP708AE | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP708B | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDP708BE | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB708A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NDB7061L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB708A | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NDB708AE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB708B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| NDB708BE | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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