參數(shù)資料
型號(hào)： NDB7060L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 75 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 64K
代理商： NDB7060L
Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
I
S
I
SM
V
SD
Maximum Continuos Drain-Source Diode Forward Current
75
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
225
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0 V, I
S
= 37.5 A
(Note 1)
0.92
1.3
V
T
J
= 125°C
0.85
1.2
t
rr
Reverse Recovery Time
V
GS
= 0 V, I
= 60A,
dI
F
/dt = 100 A/μs
108
150
ns
I
rr
THERMAL CHARACTERISTICS
Reverse Recovery Current
4.6
10
A
R
θ
JC
R
θ
JA
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μs, Duty Cycle < 2.0%.
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1
°
C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62.5
°
C/W
NDP7060L Rev. B2 / NDB7060L Rev. C
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PDF描述
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NDB7061L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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