參數(shù)資料
型號(hào)： NDB7051L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 67 A, 50 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 360K
代理商： NDB7051L
NDP7051L Rev.D/NDB7051L Rev.E
Typical Electrical Characteristics
(continued)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
B
D
I = 250μA
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature
.
1
5
10
15
20
30
50
200
500
1000
2000
3000
4000
6000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.5
1
10
20
60
I
TJ
25°C
-55°C
V =0V
S
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
.
0
20
40
Q , GATE CHARGE (nC)
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
V
G
I = 67A
V = 12V
24V
48V
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
G
D
S
V
DD
R
GS
R
L
V
OUT
V
IN
DUT
R
V
GEN
GEN
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE WIDTH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP7051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB7051 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7052L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB7052L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7052 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB7052 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB7052L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB7060 功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB7060L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NDB7061 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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