參數(shù)資料
型號(hào)： NDB610BE
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 24 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
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代理商： NDB610BE
NDP610.SAM
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
g
TJ
25°C
F
125°C
V = 10V
t
p
t
p
V = 10V
V
DD
BV
DSS
I
L
t is adjusted to reach
the desired peak inductive
current, I .
L
+
-
V
DD
1
2
3
5
10
20
50
100
150
0.5
1
2
5
10
50
100
200
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 20V
SINGLE PULSE
T = 25°C
RDS(ON) Limit
100μs
1ms
10ms
100ms
10μs
Figure 13. Transconductance Variation
with Drain Current and Temperature.
Figure 14. Unclamped Inductive Load
Circuit and Waveforms
.
Figure 15. Maximum Safe Operating Area
.
Figure 16. Transient Thermal Response Curve.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
t ,TIME (ms)
5
10
20
50
100
200
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 1.5 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
0.01
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PDF描述
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NDP610A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP610B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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