參數(shù)資料
型號： NDB6060L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 48 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 360K
代理商： NDB6060L
NDP6060L Rev. D / NDB6060L Rev. E
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
I , DRAIN CURRENT (A)
g
TJ
25°C
F
V =10V
125°C
1
2
3
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
5
10
20
30
60
100
1
2
5
10
20
50
100
200
300
I
D
100μs
1ms
10ms
100ms
RDS(ON) Limit
10μs
V = 5V
SINGLE PULSE
R = 1.5 C/W
T = 25°C
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
t ,TIME (m s)
5
10
20
50
100
200
500
1000
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1
T
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 1.5 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
0.01
Figure 13. Transconductance Variation with
Drain Current. and Temperature
Figure 14. Maximum Safe Operating. Area
Figure 15. Transient Thermal Response Curve.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
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PDF描述
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