參數(shù)資料
型號(hào)： NDB6060
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 48 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 360K
代理商： NDB6060
NDP6060 Rev. B1 / NDB6060 Rev. C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
60
I
S
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
0
20
40
60
80
0
5
10
15
20
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
48V
I = 48A
V = 12V
24V
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200
300
500
1000
2000
3000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C s
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
V
IN
V
OUT
on
off
d(off)
f
r
d(on)
t
t
t
t
t
t
INVERTED
10%
PULSE W IDTH
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDP610BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（24A，100V，0.080Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流24A, 漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.080Ω）)
NDB610A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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NDB608A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB608AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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