參數(shù)資料
型號： NDB6060
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 48 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 360K
代理商： NDB6060
TO-263AB/D
2
PAK (FS PKG Code 45)
TO-263AB/D
2
PAK Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
August 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相關PDF資料
PDF描述
NDP610BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（24A，100V，0.080Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流24A, 漏源電壓100V，導通電阻0.080Ω）)
NDB610A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NDB6060L 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB6060L 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK
NDB6060L_Q 功能描述:MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDB608A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB608AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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